10 примеров программной работы с расшифровкой отчетов на СКД – Проект ‘Курсы 1С’

10 примеров программной работы с расшифровкой отчетов на СКД – Проект 'Курсы 1С' Расшифровка

​эволюция цонов: от граждан для правительства к «правительству для граждан»? — аналитический интернет-журнал власть

В январе 2022 года была создана Государственная корпорация «Правительство для граждан» с миссией стать единым провайдером всех государственных услуг в Казахстане. Этот «монстр» по госуслугам объединил 4 госпредприятия: ЦОНы и Центры по недвижимости, земельному кадастру, и выплате пенсий. Госкорпорация должна стать казахстанским аналогом «Service Canada» в Канаде и «Centrelink» в Австралии (одни из мировых лидеров по сервис-ориентированному правительству).

У Канады, Австралии и Казахстана много схожего. Страны расположены на больших территориях, имеют низкую плотность населения, половина которого проживает в сельской местности. Вопрос доступа к госуслугам, независимо от места проживания, социального статуса и уровня компьютерной грамотности услугополучателя, стоит особенно остро в таких странах. Также Канада и Австралия являются странами-членами Организации экономического сотрудничества и развития (ОЭСР), куда стремится присоединиться и Казахстан.

Однако, как показывают результаты контент-анализа блога Дирекции по оказанию государственных услуг, граждане Казахстана остаются недостаточно удовлетворенными качеством государственных услуг.

По результатам контент-анализа 426 обращений на блог Дирекции оказания государственных услуг с января по декабрь 2022 года, можно выделить три наиболее популярные причины обращений граждан (см. График 1).

Причина №1: вопросы по госуслугам в связи со слабой информированностью граждан

Большинство обращений (45% или 192 обращения) связаны с тем, что граждане недостаточно осведомлены о государственных услугах. На трех дублирующих сайтах: Дирекции по оказанию госуслуг (http://con.gov.kz/), Госкорпорации (https://goscorp.kz/) и портале электронного правительства (http://egov.kz/), информация о госуслугах размещена в виде ссылок на стандарты, которые написаны сложным бюрократическим языком.

Стандарты госуслуг содержат основные требования к оказанию госуслуг, то есть временные сроки, перечень документов, размер оплаты за услугу. Однако в связи с тем, что стиль изложения стандартов госуслуг сложен для понимания, то гражданам приходится звонить в call-центр, идти во фронт-офис или писать на блог для получения разъяснительной информации.

Согласно статьи 10 Закона РК «О государственных услугах» от 15 апреля 2022 года, центральные госорганы разрабатывают стандарты и регламенты госуслуг. В настоящее время Госкорпорация не может самостоятельно вносить изменения в стандарты и регламенты госуслуг, ее предложения носят рекомендательный характер.

Например, с введением специализированных ЦОНов (СпецЦОН) в 11 городах странах, начиная с 2022 года, время оказания услуг по регистрации автотранспорта сократилось с прежних 8 часов до 2 часов, и был исключен прямой контакт граждан с исполнителями, отвечающими за изготовление документов.

Результаты недавнего пилотного эксперимента, проведенного Госкорпорацией совместно со СпецЦОНами, показали, что срок оказания данной услуги можно сократить до 30 минут. Для этого необходимо изменить сроки в стандарте госуслуги. Предыдущий опыт показывает, что госорганы не всегда заинтересованы в повышении своей результативности.

В этой связи, рекомендуется рассмотреть возможность усиления роли Госкорпорации в части внесения изменений в стандарты и регламенты госуслуг по согласованию с ответственными госорганами.

Если в Канаде, Service Canada является единым провайдером госуслуг на федеральном уровне, который предоставляет госуслуги через три канала: центры по физическому обслуживанию, единый call-центр и портал электронного правительства, то в Казахстане складывается иная ситуация.

Госкорпорация «Правительство для граждан» предоставляет услуги по сбору и выдаче документов через сеть фронт-офисов. Портал электронного правительства и call-центр, которые не являются частью Госкорпорации, предоставляют услуги через интернет и телефон, и находятся в ведении акционерного общества «Национальные информационные технологии» (основного разработчика) и Министерства информации и коммуникаций РК.

Если Госкорпорация должна стать «единым провайдером всех госуслуг в Казахстане», то рекомендуется рассмотреть возможности передачи портала электронного правительства и call-центра в ведение Госкорпорации. Это позволит снизить финансовые и временные затраты на межведомственную координацию и согласование.

Для того, чтобы граждане не путались между дублирующими сайтами, рекомендуется объединить сайт электронного правительства и сайт Государственной корпорации в единый портал, на котором была бы представлена максимальная информация о госуслугах, написанная понятным, небюрократическим и дружелюбным языком.

Причина №2: Жалобы на качество госуслуг

На втором месте по частоте обращений находятся жалобы граждан на некачественное оказание услуг (24% или 105 обращений). В частности, пользователи блога отмечают грубость сотрудников фронт-офисов, неправильную или неполную консультацию, ошибки при оформлении документов. Немалая доля жалоб связано не с работой самих фронт-офисов, а миграционной полиции, сотрудники которой работают в помещениях фронт-офисов. Чаще всего граждане жалуются на режим работы миграционной полиции, который отличается от режима фронт-офисов.

В этом отношении примечателен опыт Канады и Австралии, где госуслуги совершенствуются постоянно на основе пожеланий и мнений услугополучателей. Каждые 2 года в Канаде проводится опрос населения под названием Citizens First («Приоритет гражданам»), по результатам которого власти страны узнают, насколько граждане оценивают качество, уровень доступности, скорость оказания госуслуг, и получают информацию о текущих проблемах. В Австралии также проводятся подобные опросы граждан и бизнес-сообщества, к результатам которых госорганы относятся серьезно, так как пожелания потребителей служат драйвером для непрерывного улучшения качества госуслуг.

С 2022 года с принятием Закона РК «О государственных услугах» в Казахстане проводятся общественные мониторинги мнений граждан о качестве госуслуг на ежегодной основе. Одни из последних исследований в рамках общественного мониторинга качества оказания госуслуг были проведены исследовательским центром «Сандж» в 2022 году и институтом «Общественное мнение» в 2022 году.

К сожалению, среди госорганов до сих пор превалирует формальное отношение к результатам общественных мониторингов. Если результаты исследований обнажают слабые стороны в работе госорганов, то чиновники высказывают сомнения в методологии и достоверности данных. Еще один популярный аргумент среди госорганов, принятый для самозащиты, это то, что граждане при оценке зачастую не различают поставщиков госуслуг. Для граждан различия среди услугодателей не столь важны, будь это ЦОН или госорган, если он столкнулся с бюрократизмом и волокитой, то клиент выражает плохую оценку всей системе.

Многие жалобы граждан обоснованы, как считают в Агентстве по делам госслужбы и противодействия коррупции РК (Агентство). Так, по результатам 350 проверок качества оказания госуслуг, проведенных Агентством в 2022 году, в том числе 86 по обращениям граждан, 82 – по поручению органов прокуратуры, были выявлены системные нарушения законодательства со стороны госорганов.

«Выявлены факты запроса дополнительных документов, необоснованных отказов, затягивание сроков оказания госуслуг, несоблюдение графика работы, и отсутствие возможности самостоятельной подачи гражданами с ограниченными возможностями заявления и пакета документов. В результате проверок по обращениям граждан установлено 45 обоснованных жалоб по фактам некачественного оказания государственных услуг». — информирует Адильбек Мукашев, Директор Департамента оказания государственных услуг Агентства.

В Казахстане с марта 2022 года действует Система ежегодной оценки эффективности деятельности центральных и местных исполнительных органов (Указ Президента РК № 954 от 19 марта 2022 года). Одним из основных направлений Системы оценки является качество оказываемых госуслуг.

За прошедшие 6 лет в части оказания госуслуг госорганы оценивались по различным критериям, включая своевременность утверждения стандартов и регламентов госуслуг, включение новых видов услуг в Реестр, оптимизация сроков и документов, снижение жалоб и нарушений сроков госуслуг. Постепенно количество критериев, оценивающих процессные моменты в работе госорганов, было сведено к минимуму. Эльдар Идиятов, и.о. Заместителя директора Центра оценки эффективности госорганов АО «Институт экономических исследований» сообщает, что:

«С 2022 года в рамках реализации 93 шага Плана нации вводится новая модель оценки госорганов, которая подразумевает переход от оценки процессов при оказании госуслуг к оценке качества госуслуг. Так, первый критерий, уровень удовлетворенности качеством госуслуг, измеряет удовлетворенность путем опроса населения по процедурам оказания услуг и методом «тайного покупателя». В рамках второго критерия выявляется доля госуслуг, оказанных с нарушением сроков, а также работа госоргана по сокращению количества просрочек. Третий критерий, оптимизация госуслуг, дает оценку мер по снижению административных барьеров путем автоматизации госуслуг, а также оптимизации сроков и запрашиваемых документов. Эти данные позволят нам получить целостную картину о деятельности госоргана и увидеть изменения в динамике совершенствования качества услуг».

Одним из принципов оценки эффективности является принцип гласности — «публикация результатов оценки эффективности в средствах массовой информации с учетом обеспечения режима секретности и защиты служебной или иной охраняемой законом тайны».

В Канаде и Австралии, как и в большинстве стран ОЭСР, регулярно в открытом доступе публикуются рейтинги госорганов и государственныхорганизаций (включая школ, колледжей, больниц, поликлинник, местных муниципалитетов и др.), составленные на основе оценки госуслуг со стороны граждан. Лучшие государственные организации получают как денежные вознаграждения в виде бонусов для руководителей и персонала, так и немонетарные награды.

Принцип гласности использует традиционный прием «кнута и пряника», где «пряник» — это высокая оценка услугополучаталей и хорошая репутация в глазах общества, а «кнутом» служит публичный позор для руководителей отстающих в рейтинге госорганов и госорганизаций. Важно, чтобы результаты оценки госорганов, проводимой в Казахстане, стали доступны широкой общественности.

Причина №3: Решение внутренних конфликтов и низкая заработная плата

Примечательно, что на блог пишут не только граждане, но и сами сотрудники фронт-офисов. Основная причина жалоб – это внутренние конфликты во фронт-офисах (7% или 32 обращения) и низкий уровень заработной платы (5% или 20 обращений). Обе причины тесно взаимосвязаны в связи с тем, что при слиянии четырех госпредприятий в Госкорпорацию, была существенная разница в оплате труда сотрудников. Также сотрудники недовольны отсутствием четких критериев при распределении премий.

В 2022 году к перечню госуслуг, предоставляемых через фронт-офисы, было добавлено 53 новых услуги; в 2022 году планируется передача до 80% всех госуслуг в Госкорпорацию. Количество предоставляемых госуслуг также постоянно возрастает: только за 10 месяцев 2022 года оказано более 33 млн. госуслуг, из которых 21,5 млн. оказано в электронном формате. Постоянно возрастающая нагрузка в части работы с населением, повышение требований к уровню знаний сотрудников фронт-офисов компенсируется скромной заработной платой (около 80 тысяч тенге), и отсутствием карьерных перспектив. Низкая, неадекватная рабочей нагрузке, оплата труда может привести к снижению качества госуслуги потере опытных специалистов.

Для снижения неравенства между различиями в уровне оплаты труда объединенных госпредприятий, Госкорпорация ввела единый реестр должностей и единый порядок установления должностных окладов. Однако данные меры не могут способствовать повышению мотивации персонала, так как заработная плата не отвечает базовым личным потребностям сотрудников. Если госслужащим планируют поднимать заработную плату в два раза для снижения коррупционных рисков, то разрыв между госслужащими и сотрудниками фронт-офисов еще более увеличится не в пользу последних.

Вопрос об изменении системы оплаты труда для сотрудников фронт-офисов и повышении уровня заработной платы требует срочного решения. В противном случае, огромные финансовые инвестиции в реформирование системы госуслуг рискуют не привести к желаемому результате, если во фронт-офисах не будет квалифицированных и опытных специалистов. Одним из возможных решений может стать возможность установления определенных тарифов на оказываемые государственные услуги Госкорпорацией для услугодателей.

Важную роль в повышении качества госуслуг играет культура государственного аппарата. В Канаде и Австралии госорганы тесно взаимодействуют в духе сотрудничества и поддержки. Это для них не банальные слова, а основные принципы работы. Эксперты ОЭСР в Обзоре центрального правительства Казахстана в 2022 году отметили слабое межведомственное взаимодействие как одну из слабых сторон казахстанской системы госуправления.

В основном, сотрудничество между госорганами проходит в форме краткосрочных межведомственных рабочих групп, а между госслужащими превалирует вертикальное общение. Сотрудничество в Канаде и Австралии предлагает разнообразные виды горизонтального взаимодействия между представителями различных госорганов и профессий, которые поощряют обмен опытом, знаниями и лучшей практикой.

Другие сокращения:  Читы на приобретение множества Голды в Стандофф 2

Например, в Сингапуре, на который ориентируется правительство Казахстана, с 2022 года все госслужащие будут пользоваться Facebook Workplace, профессиональной версией социальной сети Facebook. Это позволит, как планирует правительство Сингапура, стимулировать межведомственный обмен знаниями и личным опытом среди сотрудников различных должностей и госорганов, тем самым сократив вертикальную иерархию.

Предыстория ЦОНов:

Помните, как несколько лет назад, было сложно зарегистрировать автотранспорт или получить паспорт или справку о необременении имущества, в народе ее называли «сотка» (или «сто долларов»). Очереди, грубость и равнодушие чиновников, и чувство бессилия. Всегда и везде были свои «посредники». И вдруг открылись ЦОНы! ЦОНы прошли сложный путь от неприятия со стороны госорганов и общества, лавины критики, обрушившейся на Загипу Балиеву, бывшего министра юстиции. Госорганы упорно сопротивлялись, не желая передавать свои госуслуги в ЦОНы, и контроль над людскими ресурсами и финансовыми потоками. После провальной попытки передачи ЦОНов в местные акиматы в 2022 году, с 2022 года ЦОНы попали в руки новаторов Аскара Жумагалиева, бывшего министра транспорта и коммуникаций (ныне глава АО «Казатомпром»), и Багдата Мусина, бывшего Председателя Комитета по координации ЦОН (ныне главаАО «Казпочта»). ЦОНы интегрировали с системой электронного правительства.

В 2022 году ЦОНы были объединены с другими госпредприятиями в НАО «Государственную корпорацию «Правительство для граждан» под руководством Председателя Правления Данияра Еренчинова. ЦОНы вошли в новый этап — когда все госуслуги будут предоставляться в одном месте по принципу «одного окна». Госкорпорация вводит принцип «одного заявления» — когда одним заявлением гражданин получает объединённые услуги и конечный результат. В дальнейшем, Госкорпорация планирует введение принципа «жизненных циклов», то есть оказание госуслуг с учетом жизненных ситуаций граждан и прохождения ими определенного жизненного этапа, соответствующего их возрастной, профессиональной и социальной категории.

Графика автора, фото предоставлены госкорпорацией «Правительство для граждан»

Комплектация

Автомобили kia cee’d продаются в 5-ти различных комплектациях. Предусмотрена также установка дополнительных пакетов. Не во всех странах доступны все комплектации. Например в России недоступна комплектация TX, а в Германии с 2009 года ATTRACT.

Полупроводниковые приборы

Обозначение

Тип

Корпус

Обозначение

Тип

Корпус

Обозначение

Тип

Корпус

AA

BCW 60 A

SOT 23

EF

BCW66F

SOT 23

L8

BAR 15-1

SOT 23

AB

BCW 60 B

SOT 23

EG

BCV 49

SOT 89

L9

BAR 16-1

SOT 23

AB

BCX 51-6

SOT 89

EG

BCW 66 G

SOT 23

R2

BFR 93 A

SOT 23

AC

BCW 60 C

SOT 23

EH

BCW 66 H

SOT 23

S1A

SMBT 3904

SOT 23

AC

BCX 51 -10

SOT 89

EK

BCX 41

SOT 23

S1B

SMBT 2222

SOT 23

AD

BCW 60 D

SOT 23

FC

BFQ 64

SOT 89

S1C

SMBTA 20

SOT 23

AD

BCX 51-16

SOT 89

FD

BFQ 17 P

SOT 89

S1D

SMBTA 42

SOT 23

AF

BCX 52-6

SOT 89

FD

BCV 26

SOT 23

S1E

SMBTA 43

SOT 23

AF

BCW 60FF

SOT 23

FE

BCV 46

SOT 23

S1G

SMBTA 06

SOT 23

AG

BCX 52-10

SOT 89

FE

BFQ 19 P

SOT 89

S1H

SMBTA 05

SOT 23

AG

BCX 70 G

SOT 23

FF

BCV 27

SOT 23

S1M

SMBIA 13

SOT 23

AH

BCX 70 H

SOT 23

FG

BCV 47

SOT 23

S1N

SMBTA 14

SOT 23

AJ

BCX 53-6

SOT 89

FM

BFN 24

SOT 23

S1P

SMBT2222A

SOT 23

AJ

BCX 70 J

SOT 23

FJ

BFN 26

SOT 23

S2A

SMBT 3906

SOT 23

AK

BCX 53-10

SOT 89

FK

BFN 25

SOT 23

S2B

SMBT 2907

SOT 23

AK

BCX 70 K

SOT 23

FL

BFN 27

SOT 23

S2D

SMBTA 92

SOT 23

AL

BCX 53-16

SOT 89

GA

BAW 78 A

SOT 89

S2E

SMBTA 93

SOT 23

AM

BCX 52-16

SOT 89

GB

BAW 78 B

SOT 89

S2F

SMBT2907A

SOT 23

AM

BSS 64

SOT 23

GC

BAW 78 C

SOT 89

S2G

SMBTA 56

SOT 23

AN

BCW 60 PN

SOT 23

GD

BAW 78 D

SOT 89

S2H

SMBTA 55

SOT 23

BA

BCW 61 A

SOT 23

GE

BAW 79 A

SOT 89

S2

Полупроводниковые приборы в корпусе кд-80 (sod-80)

Тип прибораЦветовая маркировкаСтрукт. п/пАналог (прибл)Краткие параметры
ВА682красная полосаPin-DiBA482VHF/UHF-Band-S, Min, 35V, 0.1 A, 200MHz
ВА683красная оранжеваяPin-DiBA483VHF/UHF-Band-S, Min, 35V, 0.1A, 200MHz
BAS32черн. полосаSi-Di1N4148Min, SS, 75V, 0.2A, <4ns
BAV100зелен. черн.Si-DiBAV18S, Uni, 25V, 0.25A, <50ns
BAV101зелен. коричнSi-DiBAY 19S, Uni, 120V, 0.25A, <50ns
BAV102зелен. красн.Si-DiBAV20S, Uni, 200V, 0.25A, <50ns
BAV103зелен. оранж.Si-DiBAV21S, Uni, 250V, 0.25A, <50ns
ВВ215белая зелен.C-DiBB405BUHF-Tuning, 28V, 20mA, Cp >18pF
ВВ219белаяC-DiBB909Min, VHF-Tuning, 8V,20mA,Cp>31pF
Другие сокращения:  Особо охраняемая природная территория. Виды ООПТ и их назначение

Полупроводниковые приборы

Обозначение

Тип

Корпус

Обозначение

Тип

Корпус

Обозначение

Тип

Корпус

AA

BCW 60 A

SOT 23

EF

BCW66F

SOT 23

L8

BAR 15-1

SOT 23

AB

BCW 60 B

SOT 23

EG

BCV 49

SOT 89

L9

BAR 16-1

SOT 23

AB

BCX 51-6

SOT 89

EG

BCW 66 G

SOT 23

R2

BFR 93 A

SOT 23

AC

BCW 60 C

SOT 23

EH

BCW 66 H

SOT 23

S1A

SMBT 3904

SOT 23

AC

BCX 51 -10

SOT 89

EK

BCX 41

SOT 23

S1B

SMBT 2222

SOT 23

AD

BCW 60 D

SOT 23

FC

BFQ 64

SOT 89

S1C

SMBTA 20

SOT 23

AD

BCX 51-16

SOT 89

FD

BFQ 17 P

SOT 89

S1D

SMBTA 42

SOT 23

AF

BCX 52-6

SOT 89

FD

BCV 26

SOT 23

S1E

SMBTA 43

SOT 23

AF

BCW 60FF

SOT 23

FE

BCV 46

SOT 23

S1G

SMBTA 06

SOT 23

AG

BCX 52-10

SOT 89

FE

BFQ 19 P

SOT 89

S1H

SMBTA 05

SOT 23

AG

BCX 70 G

SOT 23

FF

BCV 27

SOT 23

S1M

SMBIA 13

SOT 23

AH

BCX 70 H

SOT 23

FG

BCV 47

SOT 23

S1N

SMBTA 14

SOT 23

AJ

BCX 53-6

SOT 89

FM

BFN 24

SOT 23

S1P

SMBT2222A

SOT 23

AJ

BCX 70 J

SOT 23

FJ

BFN 26

SOT 23

S2A

SMBT 3906

SOT 23

AK

BCX 53-10

SOT 89

FK

BFN 25

SOT 23

S2B

SMBT 2907

SOT 23

AK

BCX 70 K

SOT 23

FL

BFN 27

SOT 23

S2D

SMBTA 92

SOT 23

AL

BCX 53-16

SOT 89

GA

BAW 78 A

SOT 89

S2E

SMBTA 93

SOT 23

AM

BCX 52-16

SOT 89

GB

BAW 78 B

SOT 89

S2F

SMBT2907A

SOT 23

AM

BSS 64

SOT 23

GC

BAW 78 C

SOT 89

S2G

SMBTA 56

SOT 23

AN

BCW 60 PN

SOT 23

GD

BAW 78 D

SOT 89

S2H

SMBTA 55

SOT 23

BA

BCW 61 A

SOT 23

GE

BAW 79 A

SOT 89

S2

Принятые сокращения в таблице

C-Di- (Capacitance diode [varactor, varicap]) — емкостной диод (варикап);MOS-N(P)-FET-d(e)- (Metal oxide FET, enhancement type) — МДП — транзистор с каналом N (P);N-FET- (N-channel field-effect transistors) — полевой транзистор с N-каналом;

PIN-Di- (PIN -diode) — диод;P-FET- (P- channel field-effect transistors) — полевой транзистор с Р-каналом;S- (Sensor devices) — сенсорная схема;Si-Di- (Silicon diode) — кремниевый диод;                                 Si-N- (Silicon NPN transistor)

— кремниевый NPN (обратный) транзистор;Si-N-Darl- (Silicon NPN Darlington transistor) — кремниевый NPN (обратный) транзистор по схеме Дарлингтона;Si-P- (Silicon PNP transistor) — кремниевый PNP (прямой) транзистор;Si-P-Darl- (Silicon PNP Darlington transistor)

— кремниевый PNP (прямой) транзистор по схеме Дарлингтона;Si-St- (Silicon-stabi-diode [operation in forward direction]) — стабилизирующий диод (стабилитрон);Т- (Tuner Diodes) — переключающий диод;Tetrode- (P- N-gate thyristor) — транзистор с четырехслойной структурой;

Vrf- (Voltage reference diodes) — высокостабильный опорный диод;Vrg- (Voltage requlator diodes) — регулируемый опорный диод;AM- (RF application) — амплитудная модуляция;Band-S- (RF band switching) — ключевой элемент (электронный переключатель диапазона);

Chopper- (Chopper) — прерыватель;Dual- (Dual transistors for differential amplifiers or dual diode) — сдвоенный транзистор (диод);FED- (Field effect diode) — диод, управляющий напряжением;FM- (RF application) — частотная модуляция;

HF- (RF application [general]) — высокочастотный диапазон;LED- (Light-emitting diode) — светодиод;M- (Mixer stages) — смесительный;Min- (Miniaturized) — миниатюрный;NF- (AF applications) — низкочастотный (звуковой) диапазон;

О- (Oscillator stages) — генераторная схема;ln- (Low noise) — малошумящий;S- (Switching stages) — ключевой;SS- (Fast switching stages) — быстродействующий ключ;sym- (SyMinetrical types) — симметричный;

Tr- (Driver stages) — мощной устройство (мощный управляющий ключ);tuning(RF tuning diode) — переключающий диод для схем переключения диапазона;Tunnel-Di- (Tunnel diode) — тунельный диод;UHF- (RF applications [>250MHz]) — ультрокороткий (СВЧ) диапазон;

Uni- (General purpose tyres) — универсальный (массового применения);V- (Pre/input stages) — предварительный (для входных цепей);VHF- (RF applications [approx. 100..,250 MHz]) — высокочастотный (УКВ) диапазон;Vid- (Video output stages) — видеочастотный (для цепей видеочастоты);

Тип прибора

маркировка

структ. код п/паналог (прибл.)Краткие параметры

Типов.

Рев.

ВА316А6 Si-DiBAW62, 1N4148Min, S, 85V, 0.1A, <6ns
BAS17А91 Si-StВА314Min, Stabi, 0.75…0.83V/10mA
ВА319А8 Si-DiBAV19Min, S, Uni, 120V, 0.2A, <5ms
BAS20А81 Si-DiBAV20Min, S, Uni, 200V, 0.2A, <5ms
BAS21А82 Si-DiBAV21Min, S, Uni, 250V, 0.2A, <5ms
BAS29L20 Si-DiBAX12Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
BAS31L21 Si-Di2XBAX12Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
BAS35L22 Si-Di2xBAX12Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
ВАТ17A3 Pin-DiBA480VHF/UHF-Band-S, 4V, 30mA, 200MHz
ВАТ18А2 Pin-DiBA482VHF/UHF-Band-S, 35V, 0.1A, 200MHz
BAV70А4 Si-Di2xBAW62 1N4148Min, Dual, 70V, 0.1A, <6ns
BAV99А7 Si-Di2xBAW62 1N4148Min, Dual, 70V, 0.1A, <6ns
BAW56А1 Si-Di2xBAW62 1N4148Min, Dual, S, 70V, 0.1A, <6ns
BBY3181 C-DiBB405, BB609UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=1.8 — 2.8pF
BBY40S2 C-DiBB809UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=4.3-6pF
ВС807-165A5ARSi-PBC327-16Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250
ВС807-255BRSi-PBC327-25Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400
ВС807-405CRSi-PBC327-40Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600
ВС808-165ERSi-PBC328-16Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250
ВС808-255F5FRSi-PBC328-25Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400
BC808-405G5GRSi-PBC328-40Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600
BC817-166A6ARSi-NBC337-16Min, NF-Tr, 5V, 0.5A, 200MHz, B= 100-250
BC846B1BRSi-NBC546BMin, Uni, 80V, 0.1A, 300MHz
BC847A1E1ERSi-NBC547A, BC107AMin, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220
BC847B1F1FRSi-NBC547B, BC107BMin, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC847C1G1GRSi-NBC547C, BC107CMin, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC848AU1JRSi-NBC548A, BC108AMin, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220
BC848B1K1KRSi-NBC548B, BC108BMin, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC848C1L1LRSi-NBC548C, BC108CMin, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC849B2BRSi-NBC549B, ВС108ВMin, Uni, ra 30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC849C2CRSi-NBC549C, BC109CMin, Uni, ra, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC850B2F2PRSi-NBC550B, BCY59Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC850C2G2GRSi-NBC550C, BCY59Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC856AЗА3ARSi-PBC556AMin, Uni, 65V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250
BC856B3BRSi-PBC556BMin, Uni, 65V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
BC857AЗЕ3ERSi-PBC557A, BC177AMin, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250
BC857B3F3FRSi-PBC557B, BC177BMin, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
ВС857С3G3GRSi-PBC557CMin, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
ВС858А3J3JRSi-PBC558A, BC178AMin, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 125-250
ВС858ВЗК3KRSi-PBC558B, BC178BMin, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 220-475
ВС858С3L3LRSi-PBC558CMin, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 420-800
ВС859А4ARSi-PBC559A, BC179A, BCY78Min, Uni, га, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 150
ВС859В4BRSi-PBC559B, BCY79Min, Uni, rа,30V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
ВС859С4CRSi-PBC559C, BCY79Min, Uni, га, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
ВС860А4ERSi-PBC560A, BCY7945V, 0.1A, 150MHz, B= 150
ВС860В4F4FRSi-PBC560B, BCY79Min, Uni, га, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
ВС860С4G4GRSi-PBC560C, BCY79Min, Uni, га, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
BCF29С7С77Si-PBC559A, BCY78, BC179Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 150MHz,
BCF30С8С9Si-PBC559B, BCY78Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 150MHz,
BCF3207077Si-NBC549B, BCY58, BC109Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 300MHz,
BCF33D8D81Si-NBC549C, BCY58Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 300MHz,
BCF70Н7Н71Si-PBC560B, BCY79Min, NF-V, га, 50V, 0.1A, 1500MHz,
BCF81К9К91Si-NBC550CMin, NF-V, 50V, 0.1A, 300MHz, га
BCV71К7К71Si-NBC546ANF/S, 80V,0.1A, 300MHz, B=110-220
BCV72К8К81Si-NBC546BNF/S, 80V,0.1A, 300MHz, B=200-450
BCW29С1С4Si-PBC178A, BC558AMin, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz, B= >120
BCW30С2С5Si-PBC178B, BC558BMin, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz, В= >215
BCW31D1D4Si-NВС108А,ВС548АMin, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, В= >110
BCW3202D5Si-NВС108В, ВС548Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= >200
BCW33D306Si-NВС108С, ВС548СMin, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= >420
BCW60AАА Si-NВС548АMin, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 110-220
BCW60BАВ Si-NВС548ВMin, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, S= 200-450
BCW60CАС Si-NВС548ВMin, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 420-600
BCW60DAD Si-NВС548СMin, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 620-800
BCW61AВА Si-PBC558AMin, Uni, 32V, 0.2A, 180MHz, B= 110-220
BCW61BВВ Si-PBC558BMin, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450
BCW61CВС Si-PBC558BMin, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620
BCW61DBD Si-PBC558CMin, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800
BCW69Н1Н4Si-PВС557АMin, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>120
BCW70Н2Н5Si-PВС557ВMin, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>215
BCW71К1К4Si-NВС547АMin, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>110
BCW72К2К5Si-NВС 547ВMin, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>200
BCW81КЗК31Si-NВС547СMin, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>420
BCW89НЗН31Si-PВС556АMin, Uni, 80V, 0.1A, 150MHz, B>120
BCX17Т1Т4Si-PВС327Min, NF-Tr, 50V,0.5A, 100MHz
BCX18Т2Т5Si-PВС328Min, NF-Tr, 30V.0.5A, 100MHz
BCX19U1U4Si-NBC337Min, NF-Tr, 50V.0.5A, 200MHz
BCX20U2U5Si-NВС 33 8Min, NF-Tr, 30V,0.5A, 200MHz
BCX70GAG Si-NBC107A, BC547AMin, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 110-220
BCX70HAH Si-NВС 107В, BC547BMin, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450
BCX70JAJ Si-NВС107В, BC547BMin, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620
BCX70KAK Si-NВС107С, BC547CMin, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800
BCX71GBG Si-PВС177А, BC557AMin, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 125-250
BCX71HBH Si-PВС 177В, BC557BMin, Uni, 45V, 0.2A.180MHz, B= 220-475
BCX71JBJ Si-PВС 177В, BC557BMin, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 420-650
BCX71KBK Si-PВС557СMin, Uni, 45V, 0.2A.180MHz, B= 620-800
BF510S6 N-FETBF410AMin, VHF-ra, 20V, ldss= 0.7-3mA, Vp= 0.8V
BF511S7 N-FETBF410BMin, VHF-ra, 20V, !dss= 2.5-7mA, Vp= 1.5V
BF512S8 N-FETBF410CMin, VHF-ra, 20V, ldss= 6-12mA, Vp= 2.2V
BF513S9 N-FETBF410DMin, VHF-ra, 20V, ldss= 10-18mA, Vp= 3V
BF536G3 SI-PBF936Min, VHF-M/0, 30V, 25mA, 350MHz
BF550G2G5Si-PBF450Min, HF/ZF, 40V, 25mA, 325MHz
BF569G6 Si-PBF970Min, UHF-M/0, 40V, 30mA, 900MHz
BF579G7 Si-PBF979Min, VHF/UHF, 20V, 25mA, 1.35GHZ
BF660G8G81Si-PBF606AMin, VHF-0, 40V, 25mA, 650MHz
BF767G9 Si-PBF967Min, VHF/YHF-ra, 30V,20mA,900MHz
BF820  S-NBF420Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz
BF8211W Si-PBF421Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz
BF822 Si-NBF422Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz
BF8231Y Si-PBF423Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz
BF824F8 Si-PBF324Min, FM-V, 30V, 25mA, 450MHz
BF840F3 Si-NBF240Min, Uni, 15V, 0 1A, 0.3W,>90MHz
BF841F31 SI-NBF241Min, AM/FM-ZF, 40V,25mA, 400MHz
BFR30М1 N-FETBFW-11, BF245Min, Uni, 25V, ldss>4mA, YP<5V
BFR31М2 N-FETBFW12, BF245Min, Uni, 25V, ldss>1mA, YP<2 5V
BFR53N1N4Si-NBFW30, BFW93Min, YNF-A, 18V, 50mA, 2GHz
BFR92Р1Р4Si-NBFR90Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFR92AР2РЬSi-NBFR90Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFR93R1R4Si-NBFR91Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5-6GHz
BFR93AR2R5Si-NBFR91Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5-6GHz
BFS17, (BFS17A)Е1 (Е2)Е4 (F5)Si-NBFY90, BFW92(A)Min, VHP/YHF, 25V, 25mA, 1-2GHz
BFS18F1F4Si-NBF185, BF495Min, HF, 30V, 30mA, 200MHz
BFS19F2F5Si-NBF184, BF494Min, HF, 30V, 30mA, 260MHz
BFS20G1G4Si-NBF199Min, HF, 30V, 30mA,450MHz
BFT25V1V4Si-NBFT24Min, UHF-A, 8v, 2.5mA, 2.3GHZ
BFT46МЗ NFTBFW13, BF245Min, NF/HF, 25V, ldss>0.2mA, Up<1.2V
BFT92W1W4Si-P «BFQ51, BFQ52Min, UHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFT93Х1Х4Si-PBFQ23, BFQ24Min, UHF-A, 15V,35mA, 5GHz
BRY61А5 BYTBRY5670V
BRY62А51 TetrodeBRY56, BRY39Tetrode, Min, 70V, 0.175A
BSR12B5В8Si-P2N2894AMin, S, 15V,0.1A,>1.5GHz <20/30ns
BSR13U7U71Si-N2N2222, PH2222Min, HF/S, 60V, 0.8A, <35/285ns
BSR14U8U81Si-N2N2222A, PH2222AMin, HF/S, 75V, 0.8A, <35/285ns
BSR15T7T71Si-P2N2907, PH2907Min, HF/S, 60/40V, 0.6A, <35/110ns
BSR16T8T81Si-P2N2907A, PH2907AMin, HF/S, 60/60V, 0.6A, <35/110ns
BSR17U9U91Si-N2N3903Min, HF/S, 60V, 0.2A, <70/250ns, B-50-150
BSR17AU92U93Si-N2N3904Min, HF/S, 60V, 0.2A, <70/225ns, B= 100-300
BSR18T9T91Si-P2N3905Min, HF/S, 40V, 0.2A, 200MHz
BSR18AT92T93Si-P2N3906Min, HF/S, 40V, 0.2A, 250MHz
BSR19U35 Si-N2N5550Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz
BSR19AU36 Si-N2N5551Min, HF/S, 180V, 0.6A, >100MHz
BSR20T35 Si-P2N5400Min, HF/S, 130V, 0.6A, >100MHz
BSR20AT36 Si-P2N5401Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz
BSR56M4 N-FET2N4856Min, S, Chopper, 40V, Idss >40mA, Up <10V
BSR57M5 N-FET2N4857Min, S, Chopper, 40V, Idss >20mA, Up <6V
BSR58M6 N-FET2N4858Min, S, Chopper, 40V, Idss >8mA, Up <4V
BSS63T3T6Si-PBSS68Min, Uni, 110V, 0.1A, 85MHz
BSS64U3U6Si-NBSS38Min, Uni, 120V, 0.1A, 100MHz
BSV52B2B3Si-NPH2369, BSX20Min, S, 20V, 0.1A, <12/18ns
BZX84-…см.пр им. Si-StBZX79Min, Min/Vrg Uz= 2.4-75V, P=0.3W
PBMF4391M62 N-FETMin, 40V, ldss= 50mA, Up= 10V
PBMF4392M63 N-FETMin, 40V, ldss= 25mA, Up= 5V
PBMF4393M64 N-FETMin, 40V, ldss= 5mA, Up= 3V
Другие сокращения:  бсмтс что это такое расшифровка

ПРИМЕЧАНИЕ: маркировка диодов серии BZX84… приведена в таблице ниже

Тип

марк.

Тип

марк.

Тип

марк.

Тип

марк.

…..C2V4Z11…..C2V7Z12…..C3VOZ13…..C3V3Z14
…..C3V6Z15…..C3V9Z16…..C4V3Z17…..C4V7Z1
…..C5V1Z2…..C5V6Z3…..C6V2Z4…..C6V8Z5
…..C7V5Z6…..C8V2Z7…..C9V1Z8…..С10Z9
…..С11Y1…..С12Y2…..С13Y3…..С15Y4
…..С16Y5…..С18Y6…..С20Y7…..С22Y8
…..С24Y9…..С27Y10…..С30Y11…..С33Y12
…..С36Y13…..С39Y14…..С43Y15…..С47Y16
…..С51Y17…..С56Y18…..С62Y19…..С68Y20
…..С75Y21

Технические характеристики

Оцените статью
Расшифруй.Ру